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Atomic structure and band alignment at Al2O3/GaN, Sc2O3/GaN and La2O3/GaN interfaces: A first-principles study
Al2O3/GaN、Sc2O3/GaN和La2O3/GaN界面的原子结构和能带排列:第一性原理研究
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期刊:Microelectronic engineering 作者:Zhaofu Zhang; Yuzheng Guo; John Robertson 出版日期:2019-08-01 |
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