标题 |
Robust HV Power pLDMOS Components for ESD Protection by the Drain-side Parasitic Schottky Diode and SCR Engineering
利用漏极寄生肖特基二极管和可控硅工程实现ESD保护的高强度高压功率pLDMOS器件
相关领域
肖特基二极管
电气工程
二极管
材料科学
拓扑(电路)
光电子学
工程类
|
网址 | |
DOI | |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|