Monolithic 3-D Stackable DRAM With Oxide-Channel- Access Transistors: Density Scaling Through Dual-Deck Stacking and Multilevel Cell

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标题	Monolithic 3-D Stackable DRAM With Oxide-Channel- Access Transistors: Density Scaling Through Dual-Deck Stacking and Multilevel Cell
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/16/11682804/11652987.pdf...
DOI	10.1109/ted.2026.3719267 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Po-Kai Hsu; Sungwon Cho; Janak Sharda; Kiseok Lee; Hyeonwoo Park; et al 出版日期：2026-09-01
求助人	M40 在 2026-09-20 23:23:01 发布自北京，悬赏 10 积分
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