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 High-Concentration N Vacancy of S-Doped C3N4 Regulates the Electronic Structure of Pd to Promote the Dehydrogenation of Dodecahydro-N-ethylcarbazole S掺杂C3N4的高浓度N空位调节Pd的电子结构促进十二氢-N-乙基咔唑的脱氢
相关领域
材料科学
脱氢
空位缺陷
兴奋剂
纳米技术
结晶学
光电子学
有机化学
催化作用
化学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Linsen Li; Zhuwei Yang; Hui Xiong; Ming Ma; Riguang Zhang; et al 出版日期：2025-02-26 |
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