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 Impact of oxidation conditions in SiO2 atomic layer deposition on interface state densities at β -Ga2O3 (001) MOS interfaces with 600 °C post-deposition annealing 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Atsushi Tamura; Koji Kita 出版日期：2026-10-26 |
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(2025-6-4)
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