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High Breakdown Voltage in RF AlN/GaN/AlN Quantum Well HEMTs
射频AlN/GaN/AlN量子阱HEMT的高击穿电压
相关领域
击穿电压 光电子学 材料科学 晶体管 功勋 高电子迁移率晶体管 氮化镓 电压 宽禁带半导体 无线电频率 电气工程 纳米技术 图层（电子） 工程类
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AI识别 10.1109/led.2019.2923085 doi
其它 [6]Hickman A., Chaudhuri Reet., Bader S.J., et al. High Breakdown Voltage in RF AlN/GaN/AlN Quantum Well HEMTs[J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(8): 1293-1296
求助人
俊秀的火车 在 2025-09-14 16:37:18 发布自北京，悬赏 10 积分
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