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 Influence of pressure on structural stability and physical properties of NaCaZ (Z=N, P and As) half-Heusler semiconductor materials 相关领域
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期刊：International Journal of Modern Physics B 作者：A. Azouaoui; A. Harbi; M. Moutaabbid; N. Benzakour; A. Hourmatallah; et al 出版日期：2023-04-25 |
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