| 标题 |
 Proton Irradiation Effects on Dual Delta-Doped AlGaAs/InGaAs/AlGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors 质子辐照对双δ掺杂AlGaAs/InGaAs/AlGaAs假晶高电子迁移率晶体管的影响
相关领域
材料科学
光电子学
质子
砷化镓
兴奋剂
电子
辐照
晶体管
电子迁移率
物理
电压
核物理学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Shuhao Hou; Shangli Dong; Jianqun Yang; Zhongli Liu; Enhao Guan; et al 出版日期：2024-08-19 |
| 求助人 |
荟萃分析
在
2025-08-25 21:49:40 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
不配.
左耳钉
CAOHOU
Meyako
鸣笛
Zoo
gexzygg
xzy998
linkman
风清扬
LaTeXer
pluto
小青椒
猪猪hero
飲啖茶食個包
七月流火
MchemG
Ankher
非而者厚
yydragen
皖公网安备34019202002308
