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 Achieving a Considerable Output Power Density in SOI MESFETs Using Silicon Dioxide Engineering 利用二氧化硅工程在SOI MESFETs中实现相当大的输出功率密度
相关领域
MESFET
材料科学
绝缘体上的硅
光电子学
二氧化硅
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期刊：Silicon 作者：Mohadese Sina; Ali A. Orouji; Zeinab Ramezani 出版日期：2021-10-11 |
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