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Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers
超薄MoSe2层中的场效应晶体管和本征迁移率
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材料科学
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期刊:Applied physics letters 作者:Stefano Larentis; Babak Fallahazad; Emanuel Tutuc 出版日期:2012-11-26 |
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