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Experimental study on carrier transport mechanism in ultrathin-body SOI nand p-MOSFETs with SOI thickness less than 5 nm
厚度小于5 nm的超薄SOI nand p-MOSFETs载流子输运机理的实验研究
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
MOSFET
阈值电压
电容
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硅
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工程类
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期刊:Digest. International Electron Devices Meeting, 作者:K. Uchida; H. Watanabe; A. Kinoshita; J. Koga; T. Numata; S. Takagi 出版日期:2003-06-26 |
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