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![]() 1.2-10 kV SiC MOSFET的第三象限传导损耗:栅极偏置控制的影响
相关领域
二极管
电气工程
光电子学
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MOSFET
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期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Ruizhe Zhang; Xiang Lin; Jingcun Liu; Slavko Mocevic; Dong Dong; et al 出版日期:2020-06-30 |
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