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 1 kV/1.3 mΩ·cm2 vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes with high switching performance 具有高开关性能的1 kV/1.3 M Ω·cm2垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
相关领域
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
肖特基二极管
二极管
氮化镓
肖特基势垒
金属半导体结
纳米技术
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Shu Yang; Shaowen Han; Rui Li; Kuang Sheng 出版日期：2018-07-31 |
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