| 标题 |
 Study of the Bias Driven Threshold Voltage Drift of 1.2 kV SiC MOSFETs in Power Cycling and High Temperature Gate Bias Tests 1.2 kV SiC MOSFET在功率循环和高温栅极偏置测试中的偏置驱动阈值电压漂移研究
相关领域
材料科学
负偏压温度不稳定性
碳化硅
动力循环
阈值电压
功率MOSFET
光电子学
MOSFET
晶体管
功率半导体器件
栅氧化层
电压
温度循环
电气工程
功率（物理）
可靠性（半导体）
工程类
物理
冶金
量子力学
气象学
热的
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena 作者：Roman Boldyrjew-Mast; Patrick Heimler; Xing Liu; Kristiane Reiter; Christian Schwabe; et al 出版日期：2024-08-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
cdercder
Enigma_GEB
Nole
无极微光
Kao
DW
谢雷XIELei
老的火龙果
拆迁办禁言
热切菩萨
coolru
嘻嘻哈哈
aajhajkahna
xing_xing
贪玩的秋柔
苹果老太
grassland
GingerF
极限001
皖公网安备34019202002308
