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 Over 1.8 GW/cm2 beveled-mesa NiO/β-Ga2O3 heterojunction diode with 800 V/10 A nanosecond switching capability 1.8 GW/cm2以上800 V/10A纳秒开关能力的斜面台面NiO/β-Ga2O3异质结二极管
相关领域
功勋
二极管
异质结
材料科学
光电子学
斜面
纳秒
电流密度
物理
光学
激光器
量子力学
结构工程
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Feng Zhou; Haigang Gong; Zhengpeng Wang; Wanli Xu; Xinxin Yu; et al 出版日期：2021-12-27 |
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