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 Demonstration of ultra-small (<10 μm) 632 nm red InGaN micro-LEDs with useful on-wafer external quantum efficiency (>0.2%) for mini-displays 演示超小型（<10 μ m）632 nm红色InGaN微型LED，具有用于微型显示器的有用的晶片上外部量子效率（>0.2%）
相关领域
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材料科学
量子效率
二极管
制作
蚀刻（微加工）
光电子学
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医学
病理
替代医学
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Express 作者：Shubhra S. Pasayat; Chirag Gupta; Matthew S. Wong; Ryan Ley; Michael J. Gordon; et al 出版日期：2020-12-03 |
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