Effects of Dislocations on Reliability of Thermal Oxides Grown on n-Type 4H-SiC Wafer

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标题	Effects of Dislocations on Reliability of Thermal Oxides Grown on n-Type 4H-SiC Wafer
网址	https://doi.org/10.4028/0-87849-963-6.661
DOI	10.4028/0-87849-963-6.661 doi
其它	期刊：Materials Science Forum 作者：Junji Senzaki; Kazutoshi Kojima; Tomohisa Kato; Atsushi Shimozato; Kenji Fukuda 出版日期：2008-12-04
求助人	门夹核桃能补脑在 2026-05-20 10:32:13 发布自天津，悬赏 30 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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