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 The Effect of Nanometer‐Scale V‐Pit Layer on the Carrier Recombination Mechanisms and Efficiency Droop of GaN‐Based Green Light‐Emitting Diodes 纳米级V型凹坑层对GaN基绿色发光二极管载流子复合机制和效率下降的影响
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Chuanyu Jia; Xiduo Hu; Qi Wang; Zhiwen Liang 出版日期：2021-06-25 |
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甄小白
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