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标题
Analysis of Degradation Mechanisms of Gate Dielectrics Based on SiO2 in MOS Transistors
MOS晶体管中SiO2基栅介质的退化机理分析
相关领域
材料科学 电介质 晶体管 栅极电介质 降级（电信） 光电子学 频道（广播） 阳极 电子工程 电压 电气工程 电极 工程类 化学 物理化学
网址
https://doi.org/10.1134/s1063782621130054
DOI
10.1134/s1063782621130054 doi
其它 期刊：Semiconductors
作者：Daria A. Eliseeva; S. O. Safonov
出版日期：2021-12-01
求助人
平常的凛 在 2025-10-17 07:11:52 发布自陕西，悬赏 10 积分
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