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 Influence of Additional Insulation Block on Melt-Crystal Interface Shape in Directional Solidification System for Growing High Quality mc-Silicon Ingot: a Simulation Investigation 定向凝固生长高质量mc硅锭中附加绝缘块对熔体-晶体界面形状影响的模拟研究
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期刊：Silicon 作者：G. Anbu; S. G. Nagarajan; G. Aravindan; M. Srinivasan; P. Ramasamy 出版日期：2020-06-30 |
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