Influence of Additional Insulation Block on Melt-Crystal Interface Shape in Directional Solidification System for Growing High Quality mc-Silicon Ingot: a Simulation Investigation

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作者
G. Anbu,S. G. Nagarajan,G. Aravindan,M. Srinivasan,P. Ramasamy
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:13 (6): 1713-1722 被引量:6
标识
DOI:10.1007/s12633-020-00572-5
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