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Quantitative Analysis on the Interaction Between Channel Carrier and Remote Trap in Hf x Zr 1‐x O 2 /SiO 2 Interface in Ferroelectric Field‐Effect‐Transistor |
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Haneul Lee; Sujong Kim; Changhyeon Han; Haesung Kim; Hyojin Yang; et al 出版日期:2025-12-16 |
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