标题 |
Can Interface Layer be Really Free for HfxZr1-xO2 Based Ferroelectric Field-Effect Transistors With Oxide Semiconductor Channel?
具有氧化物半导体沟道的HfxZr1-xO2基铁电场效应晶体管的界面层真的可以自由吗?
相关领域
铁电性
场效应晶体管
材料科学
晶体管
氧化物
极化(电化学)
光电子学
硅
电气工程
化学
电介质
电压
物理化学
工程类
冶金
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