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Unique Electron Trapping and its Impacts on Electron Mobility in SiC n-Channel MOSFETs |
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期刊:2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Xilun Chi; Koji Ito; Takeru Suto; Akio Shima; Mitsuaki Kaneko; et al 出版日期:2024-12-07 |
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