A novel deep P-base contact 4H-SiC trench MOSFET with enhanced short circuit robustness

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标题	A novel deep P-base contact 4H-SiC trench MOSFET with enhanced short circuit robustness
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S187923912...
DOI	10.1016/j.mejo.2026.107376 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Rashid Jamal; P. Gupta; Hafizur Rahaman 出版日期：2026-10-01
求助人	lyyyyy 在 2026-07-30 00:27:18 发布自福建，悬赏 10 积分
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