Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs

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标题	Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs
网址	https://doi.org/10.1142/S0129156417400031
DOI	10.1142/S0129156417400031 doi
其它	期刊：International Journal of High Speed Electronics and Systems 作者：Henry H. Radamson; Jun Luo; Changliang Qin; Huaxiang Yin; Huilong Zhu; et al 出版日期：2017
求助人	程大海在 2026-01-27 20:10:35 发布自安徽，悬赏 30 积分
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