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 Investigation on Electrical–Thermal-Stress Failure of GaN HEMTs Under High-Power Microwave-Induced Pulse Injection 相关领域
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
氮化镓
高电子迁移率晶体管
砷化镓
脉搏（音乐）
电子工程
降级（电信）
晶体管
可靠性（半导体）
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yue Zhang; Jingwen Huang; L. P. Zhou; Xinyu Ma; Mingxuan Li 出版日期：2025-01-01 |
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