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 The Achievement of Pulse Laser Deposited Amorphous P-Type N-Doped Ga₂O₃ for Applying in Thin Film Transistor and Homojunction Diode 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Teng-Min Fan; Wang Chen; Cong Yi; Chen Hao Zhou; Yu-Li Su; et al 出版日期：2025-04-09 |
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