| 标题 |
Adsorption-controlled growth of Ga2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy 低氧化物分子束外延吸附控制生长Ga2O3
相关领域
分子束外延
材料科学
结晶度
亚氧化物
吸附
外延
增长率
纳米技术
化学工程
结晶学
光电子学
物理化学
化学
硅
图层(电子)
复合材料
数学
工程类
几何学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:APL Materials 作者:Patrick Vogt; Felix V. E. Hensling; Kathy Azizie; Celesta S. Chang; David B. Turner; et al 出版日期:2021-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|