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Chemical vapour deposition of the oxides of titanium, zirconium and hafnium for use as high-k materials in microelectronic devices. A carbon-free precursor for the synthesis of hafnium dioxide 在微电子器件中用作高k材料的钛、锆和铪氧化物的化学气相沉积。用于合成二氧化铪的无碳前驱体
相关领域
铪
锆
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期刊:Advanced Materials for Optics and Electronics 作者:Ryan C. Smith; Tiezhong Ma; Noel Hoilien; Lancy Tsung; M. J. Bevan; et al 出版日期:2000-05-01 |
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