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 Monolithic 3D Integration of 1T1C AFeRAM With InGaZnO/InO Dual-Channel FET and AFE ZrO2 Capacitor for Low-Power and High-Density Embedded Nonvolatile Memory 用于低功耗和高密度嵌入式非易失性存储器的1T1C AFeRAM与InGaZnO/InO双通道FET和AFE ZrO2电容器的单片3D集成
相关领域
电容器
电气工程
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光电子学
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功率（物理）
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工程类
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Minglei Ma; Gaobo Lin; Jiacheng Xu; Haoji Qian; Rongzong Shen; et al 出版日期：2024-12-10 |
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