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 Impurity analysis of the effect of partial replacement of retort with an insulation material on mc-silicon grown in directional solidification furnace: Computational modeling 用绝缘材料部分替代干馏炉对定向凝固炉生长mc硅影响的杂质分析：计算模型
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：T. Keerthivasan; Xin Liu; M. Srinivasan; Noritaka Usami; G. Aravindan; et al 出版日期：2022-09-24 |
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