| 标题 |
 High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4 gate dielectrics 相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
氮化镓
栅极电介质
钝化
电介质
化学气相沉积
阈值电压
栅氧化层
晶体管
电压
电气工程
纳米技术
图层（电子）
工程类
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Shuping Li; Zhili Zhang; Fu Kai; Guohao Yu; Yong Cai; et al 出版日期：2017-01-01 |
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