| 标题 |
[高分]
 Stress Effect Analysis for PD SOI pMOSFETs with Undoped-Si0.88Ge0.12 Heterostructure Channel 非掺杂-Si0.88Ge0.12异质结构沟道Pd SOI PMOSFET的应力效应分析
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
异质结
阈下斜率
阈值电压
压力（语言学）
阈下传导
兴奋剂
噪音（视频）
硅
电气工程
晶体管
电压
工程类
哲学
人工智能
图像（数学）
语言学
计算机科学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Seong Soo Choi; A-R. CHOI; Ju-Young Kim; J. Yang; Yong-Woo Hwang; et al 出版日期：2008-05-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
GingerF
唐泽雪穗
馆长
Takahara2000
浦肯野
不配.
Zoom
核桃
Criminology34
遇上就这样吧
lcc
wop111
彩虹儿
mmyhn
YifanWang
jyy
GL
eric888
Wells
VDC
等待
tuanheqi
加菲丰丰
走啊走
GPTea
tingalan
斯寜
皖公网安备34019202002308
