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 Deep-level defects and carrier manipulation in Sn-doped β-Ga2O3 (100) single crystals 相关领域
材料科学
兴奋剂
结晶学
光电子学
化学
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期刊：Science China. Materials 作者：Jiahao Yao; Yiyuan Liu; Ze Fang; Zhengpeng Wang; Nian X. Sun; et al 出版日期：2025-06-04 |
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