| 标题 |
Characterization of interface defects in ALD Al 2 O 3 /p-GaSb MOS capacitors using admittance measurements in range from kHz to GHz 用kHz到GHz范围内的导纳测量表征ALD Al2O3/p-GaSb MOS电容器中的界面缺陷
相关领域
电容器
材料科学
电容
光电子学
量子隧道
氧化物
导纳
耗尽区
半导体
电导
分析化学(期刊)
电压
电气工程
化学
凝聚态物理
电极
电阻抗
物理
工程类
物理化学
色谱法
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Solid-State Electronics 作者:Siyuan Gu; Jie Min; Yuan Taur; P.M. Asbeck 出版日期:2016-01-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|