Metal-Induced Oxygen Vacancy Control in InGaZnO/Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Field-Effect Transistor Arrays for Simultaneous Improvement of Memory Window and Electrical Stability

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标题	Metal-Induced Oxygen Vacancy Control in InGaZnO/Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Field-Effect Transistor Arrays for Simultaneous Improvement of Memory Window and Electrical Stability
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.5c14197
DOI	10.1021/acsnano.5c14197 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Jae Seong Han; Kyungmoon Kwak; Subi Choi; Ju Hyun Lee; Nam Su Heo; et al 出版日期：2026
求助人	安详的甜瓜在 2026-01-09 09:08:10 发布自河北，悬赏 10 积分
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