| 标题 |
 Gate-All-Around GaN Nanowire FET as a Potential Transistor at 5 nm Technology for Low-Power Low-Voltage Applications 全栅极GaN纳米线FET作为低功耗低压应用的5 nm技术的潜在晶体管
相关领域
阈值电压
纳米线
材料科学
晶体管
电极
电压
光电子学
场效应晶体管
模式（计算机接口）
物理
量子力学
计算机科学
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：NANO 作者：Rajiv Ranjan Thakur; Nidhi Chaturvedi 出版日期：2021-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
cdercder
无极微光
潇洒的惋清
OK
学术文献互助
liuzhuohao
雪满头
pluto
GingerF
务实狗
犹豫的绮菱
Nole
东方元语
初遇之时最暖
Zephyrite
初景
孤独的甜瓜
小小
皖公网安备34019202002308
