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Non‐uniform doping dependent electrical parameters of dual‐metal gate all around junctionless accumulation‐mode nanowire FET (DMGAA‐JAM‐NWFET) 双金属栅极全无结堆积模式纳米线场效应晶体管(DMGAA-JAM-NWFET)的非均匀掺杂相关电参数
相关领域
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期刊:International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者:Sumedha Gupta; Neeta Pandey; R. S. Gupta 出版日期:2024-01-10 |
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