| 标题 |
Nitric oxide plasma treatment effect on SiO2 gate insulator for the stability improvement of InGaZnO thin-film transistors |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Yunhui Jang; Zhong Pan; Seungwoo Chu; Gahong Lee; Yong-Sang Kim; et al 出版日期:2025-12-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)