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Topological line defects in hexagonal SiC monolayer
六方SiC单层中的拓扑线缺陷
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期刊:Physical chemistry chemical physics/PCCP. Physical chemistry chemical physics 作者:Wallace P. Morais; Guilherme Janone Inacio; Rodrigo G. Amorim; Wendel S. Paz; F.N.N. Pansini; et al 出版日期:2023-01-01 |
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