Fabrication of low-curvature 2 in. GaN wafers by Na-flux coalescence growth technique

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标题	Fabrication of low-curvature 2 in. GaN wafers by Na-flux coalescence growth technique 低曲率2英寸的制造。Na-助熔剂聚结生长GaN晶片相关领域薄脆饼聚结（物理）曲率材料科学制作曲率半径位错半径光电子学焊剂（冶金）复合材料冶金几何学物理平均曲率替代医学数学计算机安全计算机科学病理流量平均曲率天体生物学医学
网址	https://doi.org/10.7567/apex.7.035503
DOI	10.7567/apex.7.035503 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Mamoru Imade; Masayuki Imanishi; Yuma Todoroki; Hiroki Imabayashi; Daisuke Matsuo; et al 出版日期：2014-02-19
求助人	asd 在 2025-03-11 13:15:55 发布自上海，悬赏 10 积分
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