| 标题 |
 Effect of illumination on the hump phenomenon in I -V characteristics of amorphous InGaZnO TFTs under positive gate-bias stress 光照对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅偏压I-V特性中驼峰现象的影响
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
无定形固体
阈值电压
压力（语言学）
阈下传导
阈下斜率
光电子学
凝聚态物理
电压
晶体管
电气工程
复合材料
化学
结晶学
物理
图层（电子）
哲学
工程类
语言学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：physica status solidi (a) applications and materials science 作者：Yong‐Jung Cho; Yeol‐Hyeong Lee; Woo‐Sic Kim; Byeong‐Koo Kim; Kyung Tae Park; et al 出版日期：2017-01-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
changping
Zx_1993
馆长
Aluhaer
无敌霸王花
殷勤的紫槐
GingerF
Tourist
小青椒
ccm
zcl
zhonglv7
iNk
带头大哥
核桃
不配.
无极微光
赫若魔
klyang
Criminology34
清爽老九
独特秋灵
实验室
yznfly
ybigwhite
归尘
lin
皖公网安备34019202002308
