TCAD Analysis of Etching-Depth-Dependent Electrical Behavior in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs

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标题	TCAD Analysis of Etching-Depth-Dependent Electrical Behavior in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
网址	http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ae6948
DOI	10.1149/2162-8777/ae6948 doi
其它	期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Tsung-I Liao; Chun-Chih Kuo; Sheng-Po Chang; Jone-Fang Chen; Shoou-Jinn Chang 出版日期：2026-05-01
求助人	俭朴的易烟在 2026-07-18 15:47:24 发布自北京，悬赏 10 积分
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