| 标题 |
 Impact of chamber pressure and Si-doping on the surface morphology and electrical properties of homoepitaxial (100) β -Ga 2 O 3 thin films grown by MOVPE 相关领域
分析化学（期刊）
燃烧室压力
兴奋剂
材料科学
外延
电子迁移率
薄膜
金属有机气相外延
霍尔效应
体积流量
二次离子质谱法
离子
电阻率和电导率
化学
光电子学
纳米技术
图层（电子）
有机化学
色谱法
量子力学
电气工程
冶金
物理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Physics D 作者：Saud Bin Anooz; Raimund Grüneberg; T-S Chou; Andreas Fiedler; K. Irmscher; et al 出版日期：2020-09-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Copyright
无极微光
cdercder
Kao
WW
飘逸的大雁
lg大泡
Nexus
Avalonx
yjh123
Criminology34
sagitar
学术文献互助
疯狂加载ing
GingerF
369ninja
huang
Au_
OK
畔畔
皖公网安备34019202002308
