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 EUV patterning using CAR or MOX photoresist at low dose exposure for sub 36nm pitch 使用CAR或MOX光致抗蚀剂在低剂量曝光下用于亚36nm间距的EUV图案化
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期刊： 作者：Danilo De Simone; Sophie Thibaut; Angélique Raley; Frederic Lazarrino; Ming Mao; et al 出版日期：2018-04-17 |
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