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 Molybdenum disulfide transistors with enlarged van der Waals gaps at their dielectric interface via oxygen accumulation 通过氧积累在介电界面上增大范德华间隙的二硫化钼晶体管
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10.1002/adfm.201901971
Doi
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期刊：Nature Electronics 作者：Pengfei Luo , Chang Liu , Jun Lin , Xinpei Duan , Wujun Zhang , Chao Ma , Yawei Lv , Xuming Zou , Yuan Liu , Frank Schwierz , Wenjing Qin , Lei Liao , Jun He , Xingqiang Liu 出版日期： 2022-12-05 |
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