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 Enhancing two-dimensional growth of high-temperature AlN buffer to improve the quality of GaN on Si grown by ex situ two-step method 增强高温AlN缓冲液的二维生长提高非原位两步法生长Si上GaN的质量
相关领域
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Haiyan Wang; Zeqi Lin; Binhao Qin; Yupeng Zhang 出版日期：2024-10-20 |
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