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  Growth‐Related Formation Mechanism of I3‐Type Basal Stacking Fault in Epitaxially Grown Hexagonal Ge‐2H 外延生长六方Ge-2H中I3型基底层错的生长相关形成机制
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Laetitia Vincent; Elham Fadaly; Charles Renard; Wouter H. J. Peeters; Marco Vettori; et al 出版日期：2022-05-04 |
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