Caractérisation des dégradations de transistors MOS de puissance sous irradiations

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标题	[高分] Caractérisation des dégradations de transistors MOS de puissance sous irradiations 相关领域物理人文学科艺术
网址	https://doi.org/10.1051/jp3:1997245
DOI	10.1051/jp3:1997245 doi
其它	期刊：Journal de Physique III 作者：E. Bendada; Khalid Rais; P. Mialhe 出版日期：1997-11-01
求助人	Huang 在 2025-10-16 19:02:16 发布自江苏，悬赏 50 积分
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